该类半导体之所以被称之为宽禁带半导体，是因为其禁带宽度较宽。
第一第二代半导体的禁带宽度一般在1.0ev到1.5ev左右。
但宽禁带半导体的禁带宽度却是大于2ev，这类材料主要包括sic（碳化硅）、c-bn（立方氮化硼）、gan（氮化镓、）aln（氮化铝）、znse（硒化锌）以及金刚石等。
禁带宽度对于半导体器件性能有着举足轻重的影响，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度。
禁带宽度越宽，耐压和耐高温的性能越强。
因此，在诸多性能上，第三代的宽紧带半导体是要优于第一代和第二代的。
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