几位年轻的研究员助理见到张主任进来，客气的打招呼。
张主任点点头，然后摆摆手，“你们接着忙，接着忙。”
“我们先去mocvd那边吧。”张主任压低声音，询问顾律。
顾律点头一笑。
张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。
“这个就是我们实验室的mocvd了！”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。
顾律上下打量了这台设备一番。
所谓的mocvd，是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种3-v主族、2-6副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
上面说的有些复杂。
简单来理解的话，就是通过这台mocvd设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的gan宽禁带半导体。
这是一台生长宽禁带半导体的仪器。
顾律在国外见过这种设备。
不过国内和国外的mocvd系统是有些区别的。
因为mocvd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，所以国内和国外mocvd系统的主要区别在于反应室结构。
在国外，反应室结构大多采用‘turbodisc反应’，而国内则是采用‘行星反应’。
两者各有其优劣，说不上谁更好。
但呈现在顾律面前的这台mocvd，虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构，但在设备的其他组成系统上，应该进行了深层次的优化。
顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼，就得出一个这样的结论。
“张主任，你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧，根据我的推测，这台mocvd不止最多可以同时生长两片1.5英寸的gan宽禁带半导体？”顾律说出自己的猜测。
张主任竖起大拇指。