“方教授，你过来找我有什么事吗？”张主任笑呵呵的开口问道。
“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”
方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，c杂质在gan中的晶格位置。”
“唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”
顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”
张主任没有隐瞒。
“准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”
张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。
通过c掺杂获得半绝缘gan是当前研制gan基电子器件的主流方法。
但作为iv族元素，c杂质在gan中具有两性特征，既可替代n原子，也可替代ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使gan中c的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
所以说，确定c杂质在gan中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
燕大的半导体研究中心作为gan宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
但结果……
就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在。
让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。
顾律听后，摸着下巴，一直沉默不语，在沉思着什么。
足足几十秒后。
顾律视线直视着张主任，苦笑一下开口，“张主任，要是我说，这个难题我可以解决，你相信吗？”
张主任很显然的懵逼了一下。