十一月二十日。
清嘉微电子联合研究中心。
陈默刚走进三楼会议室，便看见长桌旁已经坐满了人。
顾绍庭、吴华强、魏军都在。
负责先进封装的梁教授坐在投影幕布旁，面前摊着十几张截面图。
陈静站在投影幕布前。
她穿着一件宽松的灰色卫衣，头发简单扎在脑后，鼻梁上架着那副防蓝光眼镜。
连续几天没有好好休息，眼底已经浮出淡淡青色，整个人却显得十分兴奋。
“继续，不用管我。”陈默拉开后排角落的椅子，安静坐下。
幕布上是一组惨不忍睹的测试数据。
第一代验证芯片由于采用了2.5d芯粒拼接，计算与存储单元必须通过硅中介层实现高密度连接。
可近一个月来，封装组被一个死穴折磨得痛不欲生，连接点在高低温循环后，电阻剧烈上升，最严重的甚至直接断路。
为了这事，封装组洗过晶圆、调过压力，甚至有人提出要把连接点结构全部推翻重来。
可一旦重来，前面的版图和掩膜全废，项目至少延期两个月！
“这是前三批失效样片的坐标图。”
陈静按下翻页笔，数百个醒目的红点瞬间刺破了平静。
“如果不按时间，而是按空间坐标把三批数据叠加，就会发现问题根本不在表面污染，而是精准集中在距晶圆边缘四到六毫米的环形区域。”
梁教授眉头一紧：“结论是什么？”
“温度和应力。”
陈静声音掷地有声：“以往的工艺是一次性快速升温。薄化后的硅片与载片热膨胀不一致，在升温最剧烈的那九十秒里，晶圆边缘发生了微米级的微小翘曲。当时看不出来，经过几轮冷热循环，隐患就会被无限放大。”
封装组的一名老研究员忍不住开口：“不对啊，设备监测的翘曲平均值完全在安全线以内。”