林思媛在心里默念着秒数。腐蚀的时间必须精确控制。时间太短，损伤层去不掉；时间太长，晶片会被彻底溶解。
“时间到。”
她用镊子将晶片迅速夹出，立刻放入旁边装满高纯度去离子水的超声波清洗槽中，彻底洗去表面残留的酸液。
经过酸洗后的锗晶片，展现出了一种完美的、没有任何晶格缺陷的镜面光泽。
这块晶片，随后被送入了真空扩散炉。在高温下，极微量的特定杂质被作为气体源通入炉内。杂质原子在热运动的驱动下，缓慢地扩散进入锗晶片的表层晶格中，完成了n型或p型半导体的物理转变。
所有的前置材料准备完毕。
在超净实验室的一台高倍立体显微镜下。一场决定人类信息时代走向的微观装配正在进行。
赵广陵亲自坐在显微镜前。
他的面前，是一个特制的微型机械夹具。
夹具的底座上，固定着一块经过掺杂处理的n型锗单晶基片。
而在夹具的上方，是两根细如发丝的金丝。
这就是世界上第一个点接触型晶体管的组装。
赵广陵的双手通过高精度的微调螺旋，缓慢地控制着两根金丝下降。
在显微镜放大了上百倍的视野中。
两根金丝的尖端，缓缓逼近锗晶片的表面。
物理距离在微米级别被压缩。
当金丝的尖端与晶片表面接触的瞬间。
赵广陵停止了移动。此时，这两根金丝，它们在晶片表面的接触点之间的物理距离，只有不到五十微米。
“接通成型电压。”赵广陵下达指令。
助理合上开关。一股短暂的高压大电流脉冲通过两根金丝注入锗晶片。
在接触点极小的微观区域内，电流产生了瞬间的高温。金丝中的镓原子在这个瞬间熔入了锗晶格中，在n型锗基片的表面，形成了两个极其微小的p型半导体区域。