“但这东西，在这个时期不好搞啊……”
林东眉头皱了一下，右手想要下笔又停住了。
氮化镓制作光电仪器，电子仪器等技术很简单。
把现有的技术改进优化一下就行，性能能提升这麽猛，靠的不是技术，而是氮化镓自身变态的性能。
但问题，制作氮化镓本身不简单。
这玩意跟第三代单晶镍基合金一样，都是一种单晶材料，根本不适合寻常的生产制取办法。
别看後世氮化镓都要泛滥，家家户户都能买一个氮化镓手机充电器，小小个头就能实现百瓦充电。
但在2012年，如何制取高纯度氮化镓，还是一个材料领域的大难题。
林东仔细回想前世关於氮化镓相关的报道。
因为氮化镓在电子半导体领域的运用，曾经被很多手机厂商作为一大卖点宣传。
得益於这一些，他对氮化镓的制取工艺也算有了一定印象。
只不过第三代单晶镍基合金，在他的验算中主要靠直拉生长法工艺，氮化镓则要靠气相沉积法工艺。
“常规的跟碳化矽一样，使用气相沉积法工艺。”
“如果要制取大尺寸单晶薄片，这就需要前世报道的分子外延技术……但雷达器件这些，气相沉积法工艺就可以了。”
“嗯，气相沉积法工艺……我熟啊。”
林东想到这里，眼里露出一丝惊喜。
他在帮忙推进第三代单晶镍基合金的时候，对各种材料学相关的知识内容，还有单晶材料制取工艺就有了深入学习了解。
虽然对於後世才有的分子外延技术不了解。
但对常规的气相沉积，直拉生长，高温高压这三种工艺是有相当的掌握。
不然也无法分析验算出第三代单晶镍基合金，要使用直拉法跟梯度温度控制的路线。
而且那时候他正好准备设计全新热辣号，还考虑使用气相沉积工艺的碳化矽作为热辣号的隐形涂层，对於气相沉积法的工艺也深入研究过。