感觉有些不舒服。
但是，想想也无可厚非。
国内的大环境的确是这样的。
米勒耸耸肩，戴上防静电手套：“行吧，按流程走一遍。反正客户付了加急费，咱们就当看个笑话。”
他熟练地剥离封装，取出那颗标注“pmic-hd38”的电源管理芯片，放入聚焦离子束设备。
“先切个横截面，看看是不是多重曝光拼的……”
屏幕亮起，纳米级剖面图像缓缓生成。
起初，米勒还漫不经心地敲着桌面。
可三分钟后，他动作僵住了。
“这……这不对……”他凑近屏幕，瞳孔骤缩。
林哲察觉异样，走过来瞥了一眼，笑容瞬间凝固。
屏幕上，多层铜互连结构清晰如画，介电层均匀致密，栅极侧墙轮廓锐利如刀锋——这绝非65nm或90nm工艺能伪造的细节。
“液膜边缘效应……”
林哲声音发颤，“这是浸没式光刻独有的特征！水浸界面导致的折射畸变……只有真实曝光才会留下这种痕迹！”
米勒猛地调出线宽测量工具。
38.2nm。±1.1nm。
“上帝啊……”他喃喃道，“这不是演示片……这是量产良品。良率至少90%以上，否则不可能装进市售手机！”
瑞安也挤过来，脸色煞白：“可……可他们半年前连duv光刻机都没见过！怎么做到的？！”
林哲死死盯着那行微缩标识——“smicxhandong（汉东），2007”，手指不受控制地发抖。
此刻，他喉咙发紧，几乎说不出话：“这真是……中国弄出来的？”
怎么可能？