只响了四声，便接通了。
“陈院士，我是工信部的赵利剑，打扰您了。”
电话那头传来一个嗓音偏沉的老年男声，“赵部长，什么事？”
中科院微电子所的陈云海，华夏半导体领域的学术权威，参与过多项国家集成电路重大专项的评审，前几天的战略会议上，赵利剑和他坐在同一排。
“陈院士，今天收到了一份材料，华芯国际的蔡永芯递上来的，内容涉及nand闪存芯片的国产化，我想请您帮忙把把关。”
电话那头安静了两秒，“nand？国产化？”
陈云海的语气带着明显的不信。
“哪家企业？”
“红星科技。”
又是两秒的安静。
“赵部长，您确定是nand？不是nor？”
“报告上写的是nand，32nm制程，1gb容量，已经在台积电完成流片验证。”
电话那头沉默了更长的时间。
赵利剑等着，没有催。
陈云海今年六十七岁，在半导体领域钻了一辈子，从最早华夏引进日本的3英寸晶圆线开始，到后来908工程、909工程的评审，再到这几年国家集成电路规划的研讨，他全程参与。
华夏半导体的家底有多厚，他比在座的任何人都清楚。
nand闪存的设计难度在哪里，制造壁垒在哪里，知识产权的雷区在哪里，他门清。
所以他的第一反应是不信。
不是不信红星——红星做凌霄h1系列芯片的事他知道，那枚芯片的设计水平在国内确实算得上出色。
但芯片和闪存不是一回事。
逻辑芯片的设计有eda工具帮忙，有成熟的ip核可以授权。