铜离子在电场作用下附着到孔洞内壁，逐层沉积，由外而内填满整个通孔。
tsmc和三星已经有了可用的方案，虽然还在优化，但基本原理和工程路径是清楚的。
至于怎么让铜离子均匀附着在这种高深宽比的孔洞里而不产生空洞？
面前这位玩化学的，肯定知道。
那是他的老本行。
但刻蚀工艺不一样，高深宽比的深硅刻蚀，化学配方和工艺参数是真正的核心壁垒，是那种烧了几十亿美元研发经费不一定烧得出来的东西。
陈星太清楚tsv在未来意味着什么了。
2.5d封装。
3d堆叠封装。
高带宽内存，cowos先进封装。
这些名词在2013年还没有成为行业热词。
但在他离开的那个2026年，这些技术已经是全球算力竞赛的基础设施。
英伟达的h100为什么那么贵？
不只是gpu核心本身值钱。
而是那颗芯片周围叠了六块hbm3高带宽内存。
用的就是tsv工艺。
没有tsv，内存带宽上不去。
内存带宽上不去，ai大模型跑不动。
tsmc的cowos封装产能为什么成为全球芯片产业的瓶颈？因为tsv和相关的先进封装工艺产能跟不上，逼得英伟达、amd、谷歌排队等产能。
排队时间动辄半年起步，有钱都买不到。
那个时代，谁掌握了先进封装的产能，谁就掌握了算力的咽喉。