第1126章 没有集成基带,所以功耗更高

作者:尹阳君 加入书签推荐本书

这颗芯片的性能跑分确实比较ok,纸面参数比骁龙800还要强一点点。

但是!

漏电问题在hpm工艺下,也开始随着主频拉高而暴露了。

想了想,陈星按了一下桌面上的通话器。

“小沈,去请陆教授过来一趟。”

大约十坤分后,陆远江才过来,进门看到俞学林也在冲着他点了点头,然后说道:

“陈总,不好意思,实验室那边在跑一组频率稳定性测试,走不开。”

“没事,坐。”

陈星指了一下沙发,陆远江在俞学林旁边坐下。

“陆教授,俞总刚跟我说了h3的热阈值调试还在进行,目前还有问题?”

陆远江点了下头,没有任何遮掩。

“是的,坦白说问题比我预期的要顽固一些。”

“具体说说。”

“陈总,那我直说了,芯片主频拉到2.6ghz以后,功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”

“芯片主频越高,需要的核心电压越高。cpu的功耗和电压的平方成正比,同时和频率成正比。”

“hpm工艺本身的特点就是静态漏电流比lp工艺更大,主频越往上拉,越逼近工艺极限频率,晶体管的漏电就越厉害。”

“通俗点说,就是芯片在什么都不干的时候,也在发热。”

陈星点头,这些基础原理他也清楚。

俞学林插了一句,“空闲都在发热?那干活的时候岂不是……”

“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下,“对比膏通骁龙800的2.3ghz到我们的2.6ghz,频率提升了大约13%,但核心电压也相应提升了,综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”

“这就是发热的根源之一。”

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