“这样，拉出来的一根单晶里，就有了n-p-n的三层结构。”
他在晶体上画了三个区域，标上n、p、n。
“中间那个p型层，就是基区。”
“基区越薄，载流子穿过基区的时间就越短，晶体管的截止频率就越高。”
“我们现在的工艺，基区厚度已经能控制在二十微米左右。”
二十微米。
台下有人倒吸了一口凉气，震惊于贝尔实验室的技术。
因为点接触晶体管的基区，是靠两根探针的间距控制的，最少也得五十微米。
他们能做到二十微米，已经是质的飞跃了。
“二十微米，这意味着什么？”肖克利扫视全场，嘴角带着一丝意气风发的笑意，“这意味着我们的晶体管，截止频率能做到一兆赫兹以上。”
一兆赫兹。
他把马克笔重重地搁在白板槽里，自信抬头的看着众人。
“这比之前的点接触晶体管，高了整整一个数量级！”
会议室里响起了热烈的掌声。
肖克利压了压手，掌声渐渐停了下来。
“女士们先生们，我相信这还不是终点。”
他的语气里带着一丝狂热，动作夸张的介绍着。
“生长结法的潜力，远不止于此。我们正在优化掺杂工艺——精确控制镓丸和锑丸的投入时机，精确控制拉制速度。”
“我们的目标，是把基区厚度压到十微米以下。”
“到那时候，我们的晶体管，截止频率肯定能做到十兆赫兹！”
生长结法是在拉单晶的时候掺杂，你得在晶体生长的那一瞬间，精准地投入杂质。早一点晚一点，基区厚度就差了好几微米。