紧接着。
一个被林决规划好的消差工程节点图，出现在众人眼中。
林决声音随之传来，
“前辈们也都清楚，euv反射镜多层膜的原位相位非均匀性误差，是因为8米极紫外长光程的全局波前基线失配产生的。”
“目前我们的做法和国外一样。”
“......用11块钼硅多层膜，通过反射镜在斜入射入，让膜层反射偏差经过8米的光程，11的次反射线性累积，最后形成固定波前畸变。”
“我看了胡老给的手稿。”
“目前，我们光机所单块反射镜精度极致工艺水平，面形0.2nmrms，13.5nm反射率65%......”
“对比蔡斯，asml的成熟量产水平来看，面形差了0，反射率差也差了足足5%！”
“而在多次反射累计后......”
“这个差距变得更大了。”
“我们全链路最终波前精度是1.2nmrms，而asml的，是0.15nmrms。”
“整整8倍的差距！！！”
“在这个数据下，实际工况仅能完成单根纳米线的原理验证！”
“没办法......我们既缺少高端测量仪器，还没有精准的全局耦合补偿模型......连实际误差都拿不到。”
林决的声音在会议室内回响。
他口中的这些问题，在座诸君都是清楚，也是他们为此努力奋斗解决的目标。
根据目前的进展来看......
要追上国外目前量产水平，在原本规划中，可能还要个十二三年左右的时间。
注意.....
这里林决说的还是量产水平，而并非最尖端产品！