看到最后dpa损伤结果，中年组长瞬间脱口而出，满脸的不敢置信。
这一组资料上的数据，实在是太令人震惊了。
一次渗透碳原子的dpa损伤只有18.3，这怎么可能？
哪怕是风车国那边最先进的离子注入，碳化硅晶材中的碳原子损伤也会达到三位数以上。
更关键的是，这种方式二次渗透的都只有低两位数的dpa损伤。
这是上帝才能做到事情。
这样低的渗透损伤率，如果应用到芯片的制造上.......。
实验室的中年组长已经不敢再想下去了。
正如华国京城某间实验室中一样，这样的场景不断重复在世界各地中。
模拟空间中，一下午的时间很快就过去了。
经历过整整六次的渗透处理后，太阳也下山了。
但今天的直播到现在还不能停下。
渗透处理过后的碳化硅晶材需要更进一步处理，将刚注入的铝离子稳定下来，形成可用的n-漂移层。
至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。
清洗干净的碳化硅晶材吹干后整齐的倒放在干燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。
里面是细细的黑色粉末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳粉’两字。
将袋子打开，里面碳粉取出来装入注入了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。
三十颗碳化硅晶材全都处理好后装入金属盘中，然后送入高温熔炉中。
熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。
这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的n+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住n-漂移层中的电子流失。
高温退火的过程是三个小时左右。