但裂缝周边扭曲的皱褶，会使石墨烯的电学性质大大降低。
目前华国处理石墨烯晶材生长过程中出现的‘褶皱’问题主要有三条途径：
第一，低温生长；
相比较高温生长环境，低温生长会极大的削弱石墨烯晶材的应力问题,自然也就不会出现褶皱了。
第二、选用热膨胀系数低的单晶衬底；
第三、减弱石墨烯与衬底之间的界面相互作用。
这三个办法是华国研究了数年才找出来的方法，能解决掉石墨烯晶材上的皱褶问题，但同时也带来了新的麻烦。
那就是采用这三个方法处理石墨烯晶材的褶皱问题会显示石墨烯晶材生长的面积大小。
对于几乎没有催化活性的绝缘衬底，会导致石墨烯成核密度过高，生长速率过慢，单晶畴区尺寸多为百纳米级别，较少会出现微米、毫米级别的单晶材料。
而这个畴区尺寸的石墨烯单晶材料是无法用作石墨烯晶圆的。
如果说要批量生产英寸级别的石墨烯晶圆的话，需要的时间又相当长，有些得不偿失。
毕竟碳基芯片的性能再优异，也是需要一定的面积来支撑里面晶体管的数量的。
晶体管的数量提升不起来，这块芯片的性能也根本无法提升。
所以目前华国中科院成功研制出8英寸石墨烯晶圆片，使用的石墨烯单晶制备方法并不是化学气相沉积法。
而是使用的另外一种实验室制备法。
问题在于这种实验室制备法批量生产的成本很高，利用这种方法去生产石墨烯晶圆的话得不偿失。
中科院一直在寻找低成本制造石墨烯晶圆的办法，气相沉积法就是其中研究的重点。
但很可惜在解决了褶皱问题后，石墨烯单晶材料的生长面积又遭到了限制，让人很是气馁。
所以对于韩元会如何解决石墨烯单晶材料上的褶皱问题，华国的专家尤为期待。
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显示屏前，韩元仔细的检查着石墨烯单晶材料的检查数据以及在生产制造过程中的记录日志。