第四百一十七章:碳基芯片的离子掺杂

作者:三寸寒秋 加入书签推荐本书

别说石墨烯这种理论基础材料制备了。

就是碳纳米管、碳纳米球这些粉末级的碳纳米材料都有可以用来进行制造碳基芯片。

其中有些在性能方面还要超出石墨烯单晶晶圆制备的碳基芯片,但韩元依旧选择了这个。

主要原因就是石墨烯单晶晶圆引出来了‘轨道杂化理论’。

而引出来的‘轨道杂化理论’能在一定程度上加强各国的化学学识。

当然,还有一个原因就是华国在石墨烯单晶晶圆这条路上走的最远,最方便华国接收。

人嘛,都是有私心的,韩元也不例外。

虽然现在他的目标已经转换,但这并不代表就要平等对待各国。

科学无国界,但科学家是有国界的。

.......

模拟空间,化学实验室中,韩元已经完成了对石墨烯单晶晶圆的处理。

下一步是对其进行光蚀。

也就是所谓的光刻机加工。

离子注入不在这一步,离子注入需要在光刻机加工完后才能进行处理。

如果使用光刻机进行加工碳基芯片的话,其步骤和加工硅基芯片是一样的。

第一步是制造晶圆,硅基芯片的晶圆材料是单晶硅,碳基芯片的是石墨烯单晶。

当然,除了石墨烯单晶外,碳基芯片还可以使用碳纳米管、碳纳米球这些碳纳米材料的制备的。

这并不冲突。

......

晶圆制造完成,纯度等条件符合要求后第二步就是对进行涂膜。

这一步其实就是保存晶圆的步骤。

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