水浴升温至32—36度，并保持温度恒定，最後才能添加硫脲。
当溶液调配完成後，就要把已经准备好的熔融石英基片，通过垂直悬挂夹具探入到溶液当中。
这些基片都是长宽10毫米，厚度一毫米的方形晶片。
基片在溶液内生成硫化铅光电导多晶薄膜的时间一般在60—90分钟。
这个时间不能太短，太短薄膜会太薄，响应效果会变差。
时间也不能太长，时间太长，生成的薄膜就会变厚，表面晶粒粗大，就容易疏松脱落。
只有在熔融石英基片表面慢慢长出来一层褐色镜面一样的多晶硫化铅薄膜，这个时候这个硫化铅光电导多晶薄膜才算是生成成功。
而最後这些晶片到底能不能合格，能不能满足使用要求，还要经过很多关口，最後才能确定。
当这批晶片完成了溶液内生成之後，就要被缓慢取出来。
然後用流动的去离子水轻缓的冲刷，冲掉晶片表面的松散浮粉颗粒，最後还要再进行低温烘乾。
不过此时获得的硫化铅光电导多晶薄膜，还没有红外光电导灵敏性，必须要进行敏化退火。
这个过程就叫做「氧敏化退火」。
这个退火工艺，就是硫化铅光电导多晶薄膜在生成之後的第一个生死关。
它的工作原理就是让薄膜表面少量受控的氧化，在这个氧化的过程当中，薄膜表面的晶界会生成微量硫酸铅缺陷。
而这个受控产生的缺陷，就是让硫化铅光电导多晶薄膜产生红外光电导效应的关键因素。
但是想要掌握这个氧化过程却是极其困难的，氧化不到位不行，那样没有红外响应。
可氧化一旦过头整炉的晶片就会彻底报废。
氧化炉中的温度、氧气浓度、氮气浓度，都要求要有精确的把握，差上毫厘，这一炉的晶片也就失败了。
陈常在看着汤定缘小心地把刚刚清洗烘乾完、已经生成了硫化铅光电导多晶薄膜层的晶片，小心地放进了氧/氮气混合炉中进行敏化退火。
然後所有人就开始了漫长的等待。
助理研究员在记录着实验过程中的每一个步骤，每一个实验的时间，就连晶片留空的时间都分毫不差的记录着，然後和之前的实验进行着对比。